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BSV236SP H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 1.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 8µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.7nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：228pF @ 15V; 功率_最大：560mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：PG-SOT363-6; 包装：Digi-Reel®

BSV236SP H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 1.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 8µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.7nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：228pF @ 15V; 功率_最大：560mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：PG-SOT363-6; 包装：剪切带 (CT)

BSV236SP H6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫欧 @ 1.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 8µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.7nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：228pF @ 15V; 功率_最大：560mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：PG-SOT363-6; 包装：带卷 (TR)

BU4210F-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor SC-82 IC DETECTOR VOLT 1.0V ODRN 4SOP
C1005X7R1A104K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.1UF 10V 10% X7R 0402
BSV236SP H6327
FET - 单 Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363
71C2111
配件 Grayhill Inc 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 SW PC MOUNTING BUSHING METRIC
BZB784-C3V3,115
二极管/齐纳阵列 NXP Semiconductors SC-70，SOT-323 DIODE ZENER DUAL 3.3V SOT323
C0805C684J4RAC
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.68UF 16V 5% X7R 0805
742792036
铁氧体磁珠和芯片 Wurth Electronics Inc 0805（2012 公制） FERRITE BEAD 470 OHM .20A 0805
BU4210FVE-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor SOT-665 IC DETECTOR VOLT 1.0V ODRN 5VSOF
C1005X7R1A104M
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.1UF 10V 20% X7R 0402
C1005X7R1A224M
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.22UF 10V 20% X7R 0402
742792037
铁氧体磁珠和芯片 Wurth Electronics Inc 0805（2012 公制） FERRITE BEAD 330 OHM 2.0A 0805
C0805C684J8RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.68UF 10V 5% X7R 0805
BZB784-C3V6,115
二极管/齐纳阵列 NXP Semiconductors SC-70，SOT-323 DIODE ZENER DUAL 3.6V SOT323
BU4211F-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 4-TESOP（0.083"，2.10mm 宽） IC DETECTOR LV OPEN DRN SC-82AB
71HFR40
单二极管/整流器 Vishay Semiconductors DO-203AB，DO-5，接线柱 DIODE STD REC 400V 70A DO-5

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